TiO2材料的半导化机理探讨

     

摘要

研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响,结果表明:TiO2材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位;掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体,从而增加材料的导电粒子数目,改变TiO2材料的能带结构,降低材料的固有阻值,使TiO2材料半导化.

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