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岳小萍;
新乡医学院生命科学技术系物理教研室,河南新乡453003;
统计性超导电子对密度; GL超导波函数; 局域性超导电子对密度; 伦敦穿透深度; 超导体内禀性质;
机译:超导间隙通过电流密度函数理论对超导体的磁场和温度依赖性
机译:由于Bi _2Sr _2CaCu _2O _(8-x)中的声子相互作用而使能带参数重新归一化,并根据YBa _2Cu _3O _7中超导电流密度的温度依赖性确定超导间隙参数。
机译:环形散装超导体中空间磁通密度分布的温度依赖性评价
机译:费米表面研究和二维ACAR在高临界温度超导钇钡(2)铜(3)氧(7-x)系统中电子-正电子动量密度的温度依赖性。
机译:Ba1-xKxFe2As2超导体中临界温度和临界电流密度的不同掺杂依赖性
机译:基于高临界电流密度的电路方法的另一种温度无关超导的理论
机译:La(2-x)m(x)CuO4和YBa2Cu3O(7-y)中高温超导的线性电子 - 空穴 - 电子对模型:2,超导转变温度对压力和孔浓度的依赖性
机译:取决于温度的周期性信号产生电路,用于建立与温度无关的刷新频率
机译:由于沟道区电阻率具有负温度依赖性,因此具有与温度无关的电阻率的宽间隙半导体功率器件
机译:与温度无关的防弹层压安全面板,例如用于车辆,包括多个支架和多个耗能塑料层,在不同温度下具有最大的耗散性
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