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杨志安; 靳涛;
新疆大学物理系,新疆,乌鲁木齐,830046;
中国科学院新疆物理所,新疆,乌鲁木齐,830011;
分子轨道; 表面态; 能级;
机译:从头算计算在IIIA-VA组和IIB-VIA组半导体中由(001)双轴应变修饰的能带边缘:在应变InAs / InP量子点的准粒子能级中的应用
机译:INP中频率加倍的次谐波辐射的二次谐波产生辐射及其在半导体结构磁带切术中的应用及应用
机译:InP半导体中Yb〜(3+)的光谱带位置和电子顺磁共振光谱数据的统一计算
机译:在INAS / INP量子划线半导体光放大器中运行的INAS / INP量子划线半导体光放大器中的四波长和交叉增益调制多线子波长转换
机译:半导体闪烁体中厚n掺杂InP晶片的光学和发光研究
机译:分子轨道能级在OLED性能中的作用
机译:从头算计算在IIIA \ u2013VA和IIB \ u2013VIA半导体中被(001)双轴应变修饰的能带边缘:在应变InAs / InP量子点的准粒子能级中的应用
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学
机译:INP基板,INP半导体器件和INP基板的制造
机译:通过在SiCl4和Ar中产生的等离子体中蚀刻具有GaAs顶层和InP下层的半导体本体来制造光电子半导体器件的方法
机译:一种制造光电半导体器件的方法,其中,在SiCl4和Ar中产生的等离子体中蚀刻出具有GaAs顶层和包含InP的下层的半导体本体
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