四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

戴显英; 王伟; 张鹤鸣; 何林; 张静; 胡辉勇; 吕懿

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四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

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在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.

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来源
《西安电子科技大学学报（自然科学版）》|2003年第2期|255-258280|共5页
作者
戴显英; 王伟; 张鹤鸣; 何林; 张静; 胡辉勇; 吕懿;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;

信息产业部,电子24所,重庆,400060;

信息产业部,电子24所,重庆,400060;

西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.07;
关键词
Si1-xGex材料; 迁移率模型; 电阻率; 掺杂浓度; 四探针;
入库时间 2023-07-25 18:05:38

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