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多孔硅/硅带隙参数的研究

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摘要

测量了不同电腐蚀条件下制备的多孔硅／硅光伏谱，推导了带隙参数的计算公式．表面光伏谱测量计算值与光致发光的实验结果基本一致．

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来源
《厦门大学学报：自然科学版》 |1998年第4期|513-516|共4页
作者
周海文; 吴孙桃; 王延华; 谢廷贵; 沈华;
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作者单位

厦门大学物理学系;

厦门大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
半导体; 多孔硅; 光伏谱; 带隙参数; 能带结构;

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