Ga2As团簇结构及其电光特性的研究

马德明; 施卫; 李恩玲

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Ga2As团簇结构及其电光特性的研究

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利用密度泛函理论(DFT) B3LYP泛函方法,在6-31G*水平上计算研究了Ga2As,Ga2As- 和Ga2As+ 团簇的几何结构和电光特性,得到各团簇的基态和亚稳态结构,计算的团簇振动频率与实验结果吻合较好.分析结果表明,带电原子间的静电库仑作用变化使得离子团簇的基态结构发生畸变,进而影响了团簇的电光特性.

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来源
《西安理工大学学报》|2009年第3期|275-278|共4页
作者
马德明; 施卫; 李恩玲;
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作者单位

西安理工大学,理学院,陕西,西安,710054;

西安理工大学,理学院,陕西,西安,710054;

西安理工大学,理学院,陕西,西安,710054;

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正文语种 chi
中图分类分子物理学;
关键词
Ga2As团簇; 密度泛函理论(DFT); 几何结构; 电光特性;

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