SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究

摘要

基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响;重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系,得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论,为SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考.