场限环耐压的准三维优化分析

摘要

分析和讨论了圆弧形掩膜的曲率半径对平面结终端压特点的影响。首次通过解析的方法，推导出了在计及平面结横向曲率效应，即准三维效应的条件下，优化单场限环结构击穿电压的归一化表达式，以及场限环间距的优化公式。本方法简便直观，可以直接用于场限环结构的优化设计。