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栾国森; 胡坚;
武汉水利电力大学基础课部;
应变层超晶格; 锗; 硅; 能带结构; 弹性场; 超晶格;
机译:暗场电子全息技术研究Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格中的应变和薄膜弛豫
机译:(001)的Si衬底取向不良导致Ge_xSi_(1-x)/ Si(x〜0.4-0.5)薄膜中60°和90°失配位错的形成和传播特征
机译:在未取向(001)→(111)Si衬底上生长的Ge_xSi_(1-x)(x〜0.4-0.8)薄膜中边缘失配位错的形成:薄膜退火前后的特征
机译:HeH_4-Si MBE在Si(100)衬底上Si_(1-x)Ge_xlayers和Ge-Si_(1-x)Ge_x超晶格的异质外延:生长动力学和结构研究
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:si(1-x)Ge中的子带间吸收(用于长波长红外探测器的x / si超晶格)
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:包括具有超晶格的半导体器件的制造方法,该超晶格的上部在源极区和漏极区的相邻上部上方延伸
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