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李秋实; 李新; 丁茹; 琚泽良; 刘英洁; 王彪; 王森; 刘高斌;
辽宁科技大学材料与冶金学院;
辽宁科技大学理学院;
钛酸铜钙; 介电常数; 介电损耗; 共掺杂;
机译:施主掺杂(La〜(3+))CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的微结构和介电性能
机译:TiO_2和Al_2O_3掺杂对Ba_4(Sm_(0.5)Nd_(0.5))_(28/3)Ti_(18 + x)O_(54 + 2x)陶瓷的烧结行为和微波介电性能的影响
机译:Ni-Zr共掺杂对SrFe_(12)O_(19)介电和磁性能的影响
机译:CuO-Bi_2O_3共掺杂对Ba_4SM_(9.33)Ti_(18)O_(54)陶瓷的微波介电性能的影响
机译:掺杂,阳离子化学计量和加工条件对高K钛酸铜铜陶瓷的介电性能的影响。
机译:Cr3 +掺杂对Cr3 +掺杂和Cr3 +Nd3 +共掺杂的Y3Al5O12Y3Al2Ga3O12和Y3Ga5O12纳米温度计中温度灵敏度调制的影响。
机译:校正:(Li1 +,Al3 +)共掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能和非线性I-V电性能
机译:远红外和微波辐射下甲苯磺酸根阴离子掺杂聚吡咯的介电性能
机译:利用Al2O3层制造半导体存储器高介电电容器防止电性能降低的方法。
机译:室温下生长的Mg2Hf5O12介电膜,组成Mg2Hf5O12介电膜的电容器和晶体管及其制造方法
机译:室温生长的MG2HF5O12介电膜,组成MG2HF5O12介电膜的电容器和晶体管及其制造方法
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