苯热合成法制备强紫外光致发光a—SiOxCyHZ膜

摘要

用苯热合成法分别在２００℃、３００℃、４００℃下制得非晶ＳｉＯｘＣｙＨｚ膜，在室温下观测到强的紫外光致发光，典型样品的发光强度可与多孔硅相比。实验中发现不同温度下生长的样品，其发光谱中均存在３４０ｎｍ发光峰，在４００℃生长的样品的发光谱中还出现了３８０ｎｍ的伴峰。