PZT掺杂Ba(Cu1/2W1/2)O3的压电陶瓷的性能研究

摘要

采用固相合成法制备了(1-xmo1%)PZT-xmo1%Ba(Cu1/2Wi/2)O3三元体系压电陶瓷,研究了三元体系内Ba(Cu1/2W1/2)O3的掺杂比例x对材料的压电性能和介电性能的影响;讨论了Ba2+、Cu2+、w6+离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理;通过XRD和SEM测试手段,分析了物相组成和微观结构与材料性能的关系,发现合成的PZT材料均为钙钛矿结构,显微分析表明晶粒发育良好,其尺寸大约在3～5pm之间;实验结果表明,配方为0.95 PZT-0.05Ba(Cu1/2W1/2)O3压电陶瓷的a33可达605 pC/N,材料的机电耦合系数Kp约为0.4,材料机械品质因数均低于100,但相对介电常数εr由544提高到1400.