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在单晶片CdSxSe1-x上的非线性特性的研究

         

摘要

提供了一种研究非线性晶体透过率特性的实验(双光束方法)和理论方法。使用这一方法可记录到厚度为1μm的单晶片上的时间为1-μs范围内的透过率变化,并用计算机模拟了这一过程。

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