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罗向东徐仲英;
南通大学理学院;
江苏省专用集成电路设计重点实验室;
中国科学院半导体研究所 南通226007中国科学院半导体研究所;
北京100083;
GaNAs; GaAsSb; 光学性质; 局域和非局域; 选择激发;
机译:Gaassb结构特性对INAS / Gaassb量子点光学性质的影响
机译:第一原理对Ganas合金的光学性质的研究
机译:半导体系统Cu 2(1-x)Ag 2x GeSe 3的光学性质(半导体系统Cu 2(1-x)Ag 2x GeSe 3的光学性质)
机译:Gaassb覆层层对INAS / Gaassb量子点光学性质的影响
机译:GaAsSb纳米线的生长速率,电学和光学性质建模
机译:第一性原理研究GaNAs合金的光学性质
机译:GANAS / GAAS MQW P-I-N结的电气和光学性质
机译:GaNas的光学研究
机译:用于研究多孔有效基板表面的光学性质变化的系统和方法,作为大气压下溶剂部分压序的函数
机译:在大气压力下研究有效多孔基材表面光学性质随溶剂分压顺序变化的系统和方法
机译:用于研究多孔有效基体表面光学性质变化的系统和方法,该函数是在大气压力下溶剂分压序列的作用
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