HIP红外探测器与MOS读出开关的单片集成

摘要

为了验证Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器同ＭＯＳ信号读出电路单片集成的可行性，对Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）红外深测器与ＣＭＯＳ读出电路的工艺兼容性做了分析，提出了一个可行的工艺方案。还采用３μｍＮＭＯＳ工艺，制备了将Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器与ＮＭＯＳ信号读出开关集成在一起的实验性芯片。在７７Ｋ温度下，分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器（无介质腔和抗反射层）的黑体探测度Ｄ＊（５００，１０００，１）为１１Ｍｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ。实现了７７Ｋ下用ＮＭＯＳ开关对探测器输出信号的选择读出。