单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

黄伟志; 韩晓军; 吴旻; 潘姬

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单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

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对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究,介绍氟化物反应离子刻蚀机理.对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析,总结出刻蚀优化工艺条件,解决了刻蚀中存在的工艺难题.试验表明,在CF4加O2的优化工艺条件下,其刻蚀具有良好的各向异性和较高的重复性,获得了良好的刻蚀效果.

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来源
《天津工业大学学报》 |2002年第4期|67-69|共3页
作者
黄伟志; 韩晓军; 吴旻; 潘姬;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
反应离子刻蚀; 波导基槽; 活性基;

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