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严达利; 竺云; 杨娅; 冯冬云; 李娇; 刘野; 张学谦;
天津师范大学,物理与电子信息学院,天津,300387;
ErFe11-xCrxTi化合物; 晶体结构; 居里温度; 择优占位;
机译:具有ThMn12结构的Ce-Fe-Si化合物的居里温度高
机译:Cr或Fe对Cu 2 sub> Sb型结构的Mn基层状化合物MnAlGe和MnGaGe的居里温度的影响
机译:Ho(Mn_(1_x)Fe_x)_2和Ho(Co_(1-x)Ni_x)_2金属间化合物的晶体结构,电阻率和居里温度
机译:Al取代对双钙钛化合物居里温度和磁阻的影响
机译:第一部分:硅金属键合化合物的X射线结构研究。第二部分:三环丙基铝的X射线结构和有机铝化合物上的CNDO II计算。
机译:离子半径对Ba1-x-ySrxCayTiO3化合物居里温度的影响
机译:铁基稀土永磁化合物的电子结构和居里温度
机译:Kondo-晶格化合物YbNisn中居里温度的压力依赖性。
机译:通过在电磁场中将磁性物质转化为热的磁性物质来产生磁性物质,利用磁性物质的磁性物质的居里温度,利用磁性物质的磁性物质的居里温度,利用磁性物质产生的磁性物质的居里温度,在磁性物质的居里温度范围内通过辐射热来解冻和加热原始材料
机译:用非化学计量法控制铁电陶瓷的居里温度的方法和具有由该方法控制的居里温度的铁电陶瓷
机译:合金成型支撑,例如荧光灯中的汞源,吸气剂或电极屏的居里温度超过纯铁的居里温度
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