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席善学; 郑齐文; 崔江维; 魏莹; 姚帅; 何承发; 郭旗; 陆妩;
中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011;
新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011;
中国科学院大学 北京 100049;
总辐照剂量; 绝缘体上硅; 模型; 浅沟槽隔离;
机译:深亚微米PDSOI NMOS的总剂量辐射模型
机译:深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型,包括串联电阻,自热和速度过冲效应
机译:紧凑模型,用于部分耗尽的SOI MOSFET在高温下的单事件瞬态和总剂量效应
机译:深亚微米体和SOI MOSFET中电流驱动与短沟道效应之间的权衡
机译:由于亚微米MOSFET器件的热载流子效应而导致的衬底电流模型。
机译:基于硅纳米线的场效应晶体管中泄漏电流的快速频域表征方法
机译:深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型,包括串联电阻,自加热和速度过冲效应
机译:使用NpsLINaC对硬化sOI双极晶体管的总剂量辐射效应
机译:用于人工智能超深层学习模型的人工智能超深层学习模型的构建方法,人工智能超深层学习设备,通用通用移动终端设备,程序
机译:巨大的磁阻效应元件具有小泄漏电流,磁阻有效型磁头具有小泄漏电流,薄膜磁存储器,具有小泄漏电流和薄膜磁传感器
机译:现场效应晶体管(FET)采用边缘晶体管电流泄漏抑制以减少FET电流泄漏
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