12～18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

摘要

采用GaAs工艺设计了一个12～18 GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求.仿真表明:在12～18 GHz的工作频带内,噪声系数为1.15～1.41 dB,增益为27.9～29.1 dB,输出1 dB压缩点达到15 dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72.