首页> 中文期刊> 《太原理工大学学报》 >新型功率半导体器件-IGCT性能研究

新型功率半导体器件-IGCT性能研究

         

摘要

The author introduces capability of the Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) ,which are based on GTO technology . The IGCT combines some advantage of GTO and IGBT. It is suitable for medium-voltage high power application.%在介绍传统GTO性能的基础上对集成门极可换向型晶闸管IGCT的性能进行了研究。IGCT具有传统GTO和IGBT的某些优点,适合于中电压大功率应用领域。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号