Al2O3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶

摘要

研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶。利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法，在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多晶硅薄膜，薄膜的晶粒尺寸在微米级。经区熔再结晶(ZMR)后，薄膜的晶粒尺寸有了较大的提高，而且迁移率较高，这样的薄膜可以用作晶体硅薄膜太阳电池的籽晶层。最大的晶粒达到毫米量级，空穴迁移率超过50cm2·V-1·s-1。在籽晶层上外延的活性层形貌与此类似。这些结果显示这种薄膜在光伏应用方面有较大的潜力。