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ZMR SOI材料中的一种小平面缺陷

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摘要

在ZMRSOI多层复合材料中观察到一种小平面缺陷,这种缺陷是硅衬底表面在ZMR处理过程中某些局部范围内发生熔化和再结晶的结果。本文介绍了该缺陷的特征,分析了热场的温度偏差容限,提出了改进多层结构设计的意见,最后论述了衬底表面局部熔化和再结晶过程,定性地解释了缺陷的主要特征.

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来源
《东南大学学报：自然科学版》 |1992年第6期|18-22|共5页
作者
郑其经;
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作者单位

东南大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面现象和表面性能;
关键词
硅; 再结晶; 缺陷; 复合材料;

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