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刘玉荣; 任力飞; 杨任花; 韩静; 姚若河; 温智超; 徐海红; 许佳雄;
华南理工大学电子与信息学院;
华南理工大学广东省短距离无线探测与通信重点实验室;
华南理工大学物理系;
薄膜晶体管; 氧化锌; 电特性; 退火温度;
机译:退火温度对Li-N共掺杂ZnSNO薄膜晶体管电特性的制备及影响
机译:退火温度对InGaZnO薄膜晶体管高κYb2O3栅极电介质结构和电特性的影响
机译:退火温度对固溶锌氧化锌薄膜晶体管电特性的影响
机译:室温下生长的沟道层的热退火温度对ZnO薄膜晶体管中器件性能的影响
机译:退火温度对Sol-Gel ZnO薄膜力学性能的影响。
机译:退火温度对柔性衬底上掺杂Ti-Ga的ZnO薄膜性能的影响
机译:锌氧化锡薄膜晶体管通过高速反应溅射产生:锡组成和退火温度的影响
机译:氢化ZnO基薄膜晶体管的研究。第1部分。
机译:ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管的制造方法,ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管
机译:ZnO半导体薄膜,制造ZnO薄膜晶体管的方法以及应用该方法制造的ZnO薄膜晶体管
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