在不同热氧化条件下SiO_2-Si结构的电子辐射效应研究

摘要

利用２ＭＶ电子静电加速器，研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制．结果表明，高能电子辐照ＳｉＯ２Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄ２ｏｘ成正比．由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２Ｓｉ结构对电子辐射较敏感；而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性．