铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

摘要

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3+部分替代Bi3+或者Ca2+,以及用V5+和W6+取代部分B位的Ti4+的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.