退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响

摘要

采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状的纳米结构.用荧光光谱仪测其光致荧光谱,在705nm 处出现较强的光致荧光谱(PL).对片状结构在800℃下进行退火20min 后,其 PL 光谱明显蓝移至575nm.退火40min 后,在725nm 处有较宽的 PL 光谱,同时,在606nm 处有一尖锐的 PL 光谱.利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释 PL 光谱的产生.