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压力对β-Si_3N_4的电子结构和光学性质的影响

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摘要

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.

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来源
《四川师范大学学报：自然科学版》 |2007年第3期|355-359|共5页
作者
潘洪哲; 徐明; 丁迎春; 沈益斌;
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作者单位

临沂师范学院物理系;

四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体化学的规律性;
关键词
氮化硅; 电子结构; 光学性质;

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