一维光子晶体光子禁带研究

摘要

设计SiO2/TiO2一维光子晶体,利用琼斯矩阵理论,模拟分析其禁带特性.结果表明:光子禁带随光子晶体介质厚度比的增大而加宽,且往长波方向移动;光子禁带不受光子晶体周期数的影响.根据理论模拟得出的最佳参数制作了应用于光通讯波段的一维光子晶体带阻滤波器,并测量了该光子晶体的光子禁带,实验结果与理论模拟一致.