氮化硅陶瓷在硫化氧化气氛中的高温腐蚀行为

摘要

讨论了氮化硅分别在 1 1 50℃和 1 3 50℃的温度下在硫化氧化气氛中的腐蚀行为 .结果表明 :在 1 1 50℃的温度下硫对 Si O2 氧化层的破坏和活化氧化腐蚀是此时 Si3N4发生腐蚀的主要原因 ;在 1 3 50℃ ,添加剂以及杂质元素向晶界及样品表面的扩散导致了气泡的形成、发展与破裂 ,加快了 Si3N4的腐蚀速度 。