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一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计

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采用UMC 0.6μm BiCMOS工艺设计了一款应用于LDO的高性能过温保护电路,该电路具有20℃的温度滞回区间,热关断点温度160℃、热开启点温度140℃,同时在输入电压2.5～6V范围内热关断点、开启点温度最大漂移不超过6℃,具有较高的精度,满足LDO宽输入电压范围的要求.

著录项

来源
《陕西科技大学学报》 |2009年第3期|98-100|共4页
作者
王进军; 王侠; 史永胜; 马颖;
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作者单位

陕西科技大学电气与信息工程学院;

西安科技大学电气与控制工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
LDO; 过温保护; BiCMOS;

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