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n-Ge中单峰型反常霍尔效应的理论研究

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摘要

理论分析表明不同于ｎ－Ｇｅ中双反转型和凹陷型反常霍尔效应，ｎ－Ｇｅ中的单峰型反常霍尔效应是由于样品中的反型区形成一逾渗集团．在此基础上的定量计算结果与Ｋｏｎｏｒｏｖａ

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来源
《半导体学报》 |1999年第9期|743-747|共5页
作者
姜坤; 姜伟;
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作者单位

吉林师范学院理学分院;

辽阳石化高等专科学校;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.11;
关键词
锗; 单峰型; 反常霍尔效应; 机理; 模型;

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