基于PID技术的深能级光离化截面测试方法

摘要

在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID(proportional-integral-derivative)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷"指纹"鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中.