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刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴;
北京邮电大学理学院;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
应变; 量子点; 自组织; 低维材料;
机译:应变降低层对自组织InAs / GaAs量子点应变分布和光致发光波长红移的影响
机译:弹性应变场对量子点超晶格自组织有序性的依赖
机译:使用X射线衍射确定应变场和自组织量子点的组成-Art。没有。 035318
机译:弹性应变场对量子点超晶格自组织排序的影响
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:量子点的形状和应变分布对量子点红外光电探测器光学跃迁的影响
机译:Inas / Gaas堆积量子点和多量子阱中应变弛豫对拉曼光谱的影响
机译:应变表观量子点的制备过程应变表观增长角蛋白的制备过程
机译:利用图案化应变层形成量子点的方法及其量子点半导体器件
机译:使用具有相同能力以改善光学增益和温度特性的图案化应变层和量子点半导体器件制造量子点的方法
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