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两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性

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摘要

对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论．

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来源
《半导体学报》 |1994年第1期|64-66|共3页
作者
张国强; 严荣良; 余学锋; 任边远; 高文钰; 赵元富; 胡浴红; 王英民;
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作者单位

中国科学院新疆物理所;

骊山微电子研究所;

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正文语种 chi
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
场效应晶体管; 栅介质; 电离辐射;

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