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高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化

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摘要

对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .

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来源
《半导体学报》 |2001年第11期|1444-1449|共6页
作者
王哲; 吴郁; 亢宝位; 程序;
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作者单位

北京工业大学电子信息与控制工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.6;
关键词
开关晶体管; 栅辅助晶体管; 结构设计优化; 高流密度;

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