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吴鹤; 吴郁; 亢宝位; 贾云鹏;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
局域寿命控制; 快恢复硅功率二极管; 参数折衷; 轴向位置; 复合中心能级位置;
机译:具有内置沟道二极管以增强反向恢复性能的功率MOSFET的仿真研究
机译:通过硼扩散的局部寿命控制来改善4H-SiC功率p-i-n二极管的开关性能
机译:通过建模和仿真研究快速恢复功率二极管的关断效应
机译:低压功率沟槽MOSFET体二极管反向恢复的电路仿真器集总模型的性能比较
机译:用于高性能二极管激光器供应高性能二极管激光器的软开关DC / DC转换器的研究=提供高功率二极管激光器的软开关DC / DC转换器的研究
机译:使用大功率近红外发光二极管光源的低频宽视场荧光寿命成像
机译:用于钢的疲劳寿命改善的高功率二极管激光器(HpDL):数值模拟
机译:用于皮秒范围大功率开关的碳化硅(siC)结恢复二极管的研究与开发
机译:通过改善散热性能和防潮性能可延长使用寿命的发光二极管包装
机译:用于控制P-I-N二极管的寿命并形成具有改善的寿命控制的二极管的方法
机译:添加干金属氧化物或金属氮化物颗粒以改善电池寿命和功率性能
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