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MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

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摘要

在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.

著录项

来源
《半导体学报》 |2005年第11期|2264-2266|共3页
作者
叶志镇; 徐伟中; 曾昱嘉; 江柳; 赵炳辉; 朱丽萍; 吕建国; 黄靖云; 汪雷; 李先杭;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
ZnO; LED; P型掺杂; 金属有机化学气相沉积;

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