基于数字采样示波器的InGaAsP单光子雪崩二极管的特性(英文)

摘要

介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(即盖革模式)工作状态下,单光子探测的模式和过程.并且在波长分别为1310和1550nm的情况下进行了定量研究.在1550nm,工作温度203K条件下,该探测器达到了暗计数概率2·4×10-3每门,量子效率52 %,50kHz的门信号重复频率;在工作温度为238K时,相应参数分别为8·5×10-3,43 %和200kHz .