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金属平面半导体量子阱微腔自发发射

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摘要

应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理，讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射，得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命．计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制，平面微腔可以增进自发发射，具有很强单方向性．

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来源
《半导体学报》 |2000年第1期|33-37|共5页
作者
赵红东; 张存善; 周革; 沈光地; 张以谟;
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作者单位

天津大学精密仪器与光电子工程学院教育部光电信息技术科学开发实验室;

河北工业大学文理学院;

北京工业大学电子工程学系北京市光电子技术室;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
微腔; 自发发射; 量子阱; 金属平面半导体;

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