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何欢; 秦福文; 吴爱民; 王叶安; 代由勇; 姜辛; 徐茵; 顾彪;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;
山东大学物理与微电子学院;
ECR-PEMOCVD; 稀磁半导体; GaMnN; 室温铁磁性; 居里温度;
机译:缓冲层对ECR-PEMOCVD生长的GaN薄膜结构和形貌特性的影响
机译:溶液生长技术生长n-Si / p-CuIn(S1-xSex)(2)薄膜太阳能电池及其光电特性
机译:通过比较尺寸减少技术确定明显的薄膜生长特性
机译:基于ECR-PEMOCVD的GaMnN薄膜的生长及其性能
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:不同的退火气体对生长的影响FTO衬底上生长的CuO薄膜的发光特性和光电流性能
机译:溶胶 - 凝胶浸涂技术在玻璃上生长al掺杂ZnO:Ni薄膜的特性
机译:III-V外延薄膜中生长缺陷和传输特性与生长参数的研究
机译:具有负光电导特性的锗外延薄膜的生长以及使用该薄膜的光电二极管的生长
机译:使用选择性外延生长技术和部分平坦化技术的具有薄膜晶体管的半导体集成电路的制造方法以及由此制造的半导体集成电路
机译:使用镶嵌技术和选择性外延生长技术的具有薄膜晶体管的半导体集成电路的制造方法以及由此制造的半导体集成电路
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