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王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 张剑平; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
中国科学院半导体研究所;
氮化镓; GSMBE; 电子输动性质;
机译:基于确定性多子带玻尔兹曼输运方程求解器的基于GaN的HEMT中电子输运性质的理论研究
机译:混合离子电子导体Ce_(1-x)Tb_xO_(2-δ)+ Co(x = 0.1,0.2)的输运性质研究及作为氧输运膜的评估
机译:AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的电输运性质的理论研究
机译:基于高电子迁移率GaN / AlGaN异质结构的光栅栅太赫兹探测器的磁输运性质
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:乙炔基二茂铁分子连接中自旋相关电子输运性质的理论研究
机译:脉冲溅射制备简并n型GaN的电子输运性质
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:制造图案化的金纳米粒子膜的方法,该方法可利用电子辐照和热解后获得优异的电学性质和光学性质,由其制备的金纳米粒子膜以及包含金的生物化学传感器
机译:通过电子束扫描研究半导体中的近表面电子性质
机译:利用分子机械运动作为改变分子电子性质的手段的基于有机分子膜的电子开关装置
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