用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜

摘要

本文用俄歇电子能谱仪（AES）和X射线光电子能谱仪（XPS）研究半绝缘多晶硅（SIPOS）薄膜中硅的化学价态.通过对Si LVV俄歇谱谱线形状和位移以及Si（2p）芯态峰位移的分析,揭示了SIPOS膜是由元素Si、SiO和SiO2组成.经过1100℃高温退火的SIPOS 膜经历了一个再结构过程——SiO2成份增强和SiO向Si2O3的转变.