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一种高性能16K（2K×8）NMOS-SRAM的设计与分析

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本文描述一种性能较好的16K（2K×8）NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时间为120ns,工作功耗为150mW.

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来源
《半导体学报》 |1986年第6期|573-581|共9页
作者
徐葭生; 张明宝; 杨肇敏; 张钟宣;
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作者单位

清华大学微电子学研究所;

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