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一种获得P+P结构的方法

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＜正＞众所周知,在热氧化时半导体中的杂质分布会有改变,受主杂质硼和镓也不例外.按照文献[1] 给出的公式可以计算热氧化后硼和镓在硅中的浓度分布.所用公式是:

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来源
《半导体学报》 |1980年第2期|165-166|共2页
作者
徐稼迟;
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作者单位

南京固体器件研究所;

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正文语种 chi
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