辐射诱发新生儿和成年人T淋巴细胞染色体畸变敏感性的初步比较

摘要

探讨了电离辐射诱发T淋巴细胞染色体畸变在新生儿与成年人之间的差异.采用在完全相同条件下用60Coγ射线一次照射离体的新生儿脐带血和成年人静脉血,新生儿照射0.5、1.0、2.0、3.0、4.0、5.0Gy;成年人照射2.0Gy和3.0Gy,常规法分析染色体畸变率.结果表明,60Co γ射线照射2.0Gy和3.0Gy诱发新生儿T淋巴细胞染色体着丝粒畸变率相当于成年人的130%左右,无着丝粒畸变率两者几乎相同.60Co γ射线诱发新生儿T淋巴细胞染色体着丝粒畸变率符合线性2次多项式y=4.8104D2+5.8314D+0.0034模式,r=0.9982.初步结果表明,新生儿T淋巴细胞对电离辐射的敏感性显著高于成年人.