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一种适用于bipolar LDO的带隙基准电压源设计

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针对Bipolar线性稳压器(LDO),设计了一款高性能的带隙基准电压源,采用5 μm 40 V的Bipolar工艺,Hspice仿真验证,其基准电压值的温度系数为30 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为70 dB,在电源电压从2.5～30 V变化的过程中,基准变化仅为7 mV.

著录项

来源
《电源技术学报》 |2007年第2期|163-165|共3页
作者
黄虎; 李进; 朱可斌; 王松林;
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作者单位

西安电子科技大学;

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西安电子科技大学;

西安电子科技大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
带隙基准源; Bipolar LDO; 温度系数; 电源抑制比;

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