“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

摘要

基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件，碳化硅（SiC）器件在很多方面都已体现出了优越的性能，硅基氮化镓（GaN）器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。