2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

摘要

为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为“宽禁带半导体电力电子器件”专辑。征文范围包括：①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件（二极管,MOSFET等）的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件（二极管,MOSFET及IGBT等）的关键技术及挑战;