碳化硅MOSFET电热耦合模型及分析

摘要

为在Matlab/Simulink环境下准确预测碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件在实际工况下的结温变化,针对SiC MOSFET器件提出了一种基于时变温度反馈的电热耦合模型建模方法.该方法能更好地反映SiC MOSFET在导通和开关过程中的性能特点,模型从器件物理分析和工作机理出发,将功率损耗和热网络模块引入建模,实时反馈器件结温和更新温度相关参数.采用CREE C2M0160120D SiC MOSFET器件进行测试,根据制造商数据手册和测试实验中提取,仿真结果证实了该建模方法的正确性,为器件的寿命预测和可靠性评估提供了研究基础.