一维液晶缺陷阶梯型Thue-Morse序列光子晶体的电控特性

摘要

文章设计了一维向列相液晶缺陷阶梯型Thue-Morse序列第四代光子晶体结构,利用传输矩阵法数值计算该结构的透射谱,并与传统型Thue-Morse序列第四代光子晶体结构的透射谱相比较,最后探究缺陷模及光场分布分别与夹角θ的变化关系.结果表明:一维向列相液晶缺陷阶梯型Thue-Morse序列第四代光子晶体结构的透射谱存在光子禁带.当夹角θ逐渐变大时,缺陷模波长的空间位置发生蓝移,在夹角θ(0°-90°)变化时,缺陷模波长的可控变量为104 nm.在该结构的空间位置z=1720 nm处,光场分布出现局域化;并且随夹角θ的变大,光场强度是一个先增大后减小的变化过程.